红网时刻5月6日讯（通讯员 肖媛）近日，2019年度湖南专利奖揭晓，郴州湘能华磊光电股份有限公司的“含有超晶格势垒层的LED结构外延生长方法及其结构”专利技术获得湖南省专利奖三等奖。

此专利技术推动了国产LED照明芯片的快速渗透和应用，打破了中高端LED芯片被国外垄断的局面，解决了LED光提取效率低、散热差、P型掺杂离化率低等诸多关键技术难题，促进了LED外延芯片技术的大幅提升，使湘能华磊光电股份有限公司的外延芯片技术水平具有国内领先地位。

应用此专利技术制造的LED芯片产品主要用于半导体照明相关领域，可取代传统的照明光源，实现绿色节能、环保效益，年节约照明用电600万千瓦。自2016年6月正式合法实施以来，此专利技术已为湘能华磊光电股份有限公司累计新增销售收入160677万元，新增利润32652万元，新增税收14152万元。